Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN + PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
TSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
370 mW
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
1 x 3.1 x 1.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
13,583 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
16,30 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
13,583 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Hariç
16,30 TL
Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 40 | 13,583 TL | 135,83 TL |
50 - 90 | 11,092 TL | 110,92 TL |
100+ | 8,836 TL | 88,36 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN + PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
40 V
Paket Tipi
TSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
370 mW
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
150 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
1 x 3.1 x 1.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.