Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
5 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
UPAK
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
171,10 TL
17,11 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
205,32 TL
20,532 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

171,10 TL
17,11 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
205,32 TL
20,532 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
10 - 90 | 17,11 TL | 171,10 TL |
100 - 190 | 10,904 TL | 109,04 TL |
200 - 990 | 10,672 TL | 106,72 TL |
1000 - 1990 | 10,382 TL | 103,82 TL |
2000+ | 10,092 TL | 100,92 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
5 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
UPAK
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Minimum DC Akım Kazancı
300
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
4
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1.6 x 4.6 x 2.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.