Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
50 to 150mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Yükseklik
1mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
4,386 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
5,263 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
4,386 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Hariç
5,263 TL
Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NXPİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
50 to 150mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
30 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
3 x 1.4 x 1mm
Yükseklik
1mm
Genişlik
1.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-65°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.