Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
200 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
1.1pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
N
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
1.2 to 3mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-30V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
200 Ω
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
CP
Pim Sayısı
3
Kapasitans Üzerindeki Tahliye Kapağı
4pF
Kapasitans Üzerindeki Kaynak Kapağı
1.1pF
Boyutlar
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.9mm
Yükseklik
1.1mm
Genişlik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.