Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
-4 → -16mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
ON Semiconductorİletken Tipi
P
Idss Tahliye-Kaynak Kesme Akımı
-4 → -16mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
15 V
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
+40 V
Maksimum Tahliye Kapağı Gerilimi
-40V
Transistör Yapılandırması
Tek
Yapılandırma
Tek
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOT-23
Pim Sayısı
3
Boyutlar
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.92mm
Yükseklik
0.93mm
Genişlik
1.3mm
Ürün Ayrıntıları
P-channel JFET, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.