Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA, 880 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V, 30 V
Paket Tipi
SOT-363
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 Ω, 500 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
270 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 0,9 nC, 4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
11,997 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
14,396 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
25
11,997 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Hariç
14,396 TL
Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
25
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Şerit |
---|---|---|
25 - 100 | 11,997 TL | 299,92 TL |
125 - 225 | 11,395 TL | 284,88 TL |
250 - 600 | 10,793 TL | 269,82 TL |
625 - 1225 | 10,234 TL | 255,85 TL |
1250+ | 9,847 TL | 246,18 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
onsemiİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA, 880 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V, 30 V
Paket Tipi
SOT-363
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.5 Ω, 500 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
270 mW
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 0,9 nC, 4,5 V'de 2,2 nC
Genişlik
1.35mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, ON Semiconductor
The NTJD1155L is a dual channel MOSFET. Featuring both P and N-channels into a single package, this MOSFET is brilliant for low control signal, low battery voltages and high load currents. The N-channel features internal ESD protection and can be driven by logic signals as low as 1.5V, while the P-Channel is designed to be used on load switching applications. The P-channel also designed with ON semis trench technology.