Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.35mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
48.866,00 TL
48,866 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
58.639,20 TL
58,639 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
48.866,00 TL
48,866 TL Each (On a Reel of 1000) (KDV Hariç)
58.639,20 TL
58,639 TL Each (On a Reel of 1000) KDV Dahil
1000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
STripFET F7
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
5.6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
125 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.35mm
Uzunluk
10.4mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 12,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
4.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ F7 Series, STMicroelectronics
The STMicroelectronics STripFET™ F7 series of low-voltage MOSFETs have lower device on-state resistance, with reduced internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.