Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
70 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 36 nC
Genişlik
6.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
37,929 TL
Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
45,515 TL
Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
37,929 TL
Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
45,515 TL
Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
80 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Seri
DeepGate, STripFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
70 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 36 nC
Genişlik
6.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.