STGD5H60DF STMicroelectronics IGBT, 10 A, 600 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
83 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
855pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
221µJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
2.024,20 TL
40,484 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.429,04 TL
48,581 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
2.024,20 TL
40,484 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
2.429,04 TL
48,581 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 50 - 90 | 40,484 TL | 404,84 TL |
| 100 - 240 | 36,424 TL | 364,24 TL |
| 250 - 490 | 32,828 TL | 328,28 TL |
| 500+ | 31,204 TL | 312,04 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
10 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
83 W
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
6.6 x 6.2 x 2.4mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Kapı Kapasitansı
855pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
221µJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products