STMicroelectronics STS10P4LLF6 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 10 A, 40 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
10 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Seri
STripFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
20 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 34 nC
Yükseklik
1.5mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
99.170,00 TL
39,668 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
119.004,00 TL
47,602 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
99.170,00 TL
39,668 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
119.004,00 TL
47,602 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
STMicroelectronicsİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
10 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Seri
STripFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
20 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 34 nC
Yükseklik
1.5mm
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel STripFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products