Toshiba TK11P65W,RQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 11,1 A, 650 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)

Name: Toshiba TK11P65W,RQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 11,1 A, 650 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)
Brand: Toshiba
SKU: 1332796

RS Stok Numarası: 133-2796Marka: ToshibaÜretici Parça Numarası: TK11P65W,RQ(S

MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

11,1 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

650 V

Paket Tipi

DPAK (TO-252)

Seri

DTMOSIV

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

440 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Maksimum Güç Kaybı

100 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-30 V, +30 V

Transistör Malzemesi

Uzunluk

6.6mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 25 nC

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Genişlik

6.1mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

İleri Diyot Gerilimi

1.7V

Yükseklik

2.3mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları

MOSFET Transistors, Toshiba

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Teklif İsteyiniz

Toshiba TK11P65W,RQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 11,1 A, 650 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)

Teklif İsteyiniz

Toshiba TK11P65W,RQ(S N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 11,1 A, 650 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
View and contribute website content and forums
Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products

Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Toshiba

İletken Tipi

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

11,1 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

650 V

Paket Tipi

DPAK (TO-252)

Seri

DTMOSIV

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

440 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2.5V

Maksimum Güç Kaybı

100 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-30 V, +30 V

Transistör Malzemesi

Uzunluk

6.6mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 25 nC

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Genişlik

6.1mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

İleri Diyot Gerilimi

1.7V

Yükseklik

2.3mm

Menşe

Japan

Ürün Ayrıntıları