Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
DTMOSIV
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
250 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
8.8mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 35 nC
Yükseklik
4.46mm
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
MOSFET Transistors, Toshiba
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
5
Teklif İsteyiniz
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Toshibaİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
13,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
650 V
Seri
DTMOSIV
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
250 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Maksimum Güç Kaybı
130 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
8.8mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 35 nC
Yükseklik
4.46mm
İleri Diyot Gerilimi
1.7V
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları