Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
1Mbit
Düzen
128K x 8 bit
Kelime Sayısı
128K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
STSOP
Pim Sayısı
32
Boyutlar
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
1.05mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
11.9mm
Genişlik
8.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
1Mbit
Düzen
128K x 8 bit
Kelime Sayısı
128K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
STSOP
Pim Sayısı
32
Boyutlar
11.9 x 8.1 x 1.05mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
1.05mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
11.9mm
Genişlik
8.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.