Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
8Mbit
Düzen
512K x 16 bit
Kelime Sayısı
512k
Kelime başına Bit Sayısı
16bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
16bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TSOP
Pim Sayısı
44
Boyutlar
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Yükseklik
1.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
18.51mm
Genişlik
10.26mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tepsi)
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Tepsi)
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
8Mbit
Düzen
512K x 16 bit
Kelime Sayısı
512k
Kelime başına Bit Sayısı
16bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
16bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TSOP
Pim Sayısı
44
Boyutlar
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Yükseklik
1.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
18.51mm
Genişlik
10.26mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.


