Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
8Mbit
Düzen
1024K x 8 bit
Kelime Sayısı
1024K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TSOP
Pim Sayısı
44
Boyutlar
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
1.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
18.51mm
Genişlik
10.26mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
8Mbit
Düzen
1024K x 8 bit
Kelime Sayısı
1024K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
TSOP
Pim Sayısı
44
Boyutlar
18.51 x 10.26 x 1.04mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
1.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
18.51mm
Genişlik
10.26mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.


