Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
16Mbit
Düzen
1M x 16 bit, 2M x 8 bit
Kelime Sayısı
1M, 2M
Kelime başına Bit Sayısı
8 bit, 16bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8 bit, 16 bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
VFBGA
Pim Sayısı
48
Boyutlar
6 x 8 x 0.79mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
0.79mm
Genişlik
8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
6mm
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Teklif İsteyiniz
Standart
1
Teklif İsteyiniz
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
1
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Bellek Boyutu
16Mbit
Düzen
1M x 16 bit, 2M x 8 bit
Kelime Sayısı
1M, 2M
Kelime başına Bit Sayısı
8 bit, 16bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8 bit, 16 bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
VFBGA
Pim Sayısı
48
Boyutlar
6 x 8 x 0.79mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
3,6 V
Yükseklik
0.79mm
Genişlik
8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
2,2 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
6mm
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.


