Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC DMG4800LSD-13
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
22 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.6V
Maksimum Güç Kaybı
1,5 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 8,56 nC
Genişlik
3.95mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
4.95mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
464,00 TL
18,56 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
556,80 TL
22,272 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
464,00 TL
18,56 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
556,80 TL
22,272 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
7,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
22 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.6V
Maksimum Güç Kaybı
1,5 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 8,56 nC
Genişlik
3.95mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
4.95mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products