Diodes Inc DMHC3025LSD-13 Dörtlü N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 2,5 A, 7,8 A, 30 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,5 A, 7,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
40 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
1,5 W
Transistör Yapılandırması
Tam Köprü
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
4
Genişlik
3.95mm
Uzunluk
4.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,4 nC, 10 V'de 11,7 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
54.435,00 TL
21,774 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
65.322,00 TL
26,129 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
54.435,00 TL
21,774 TL Each (On a Reel of 2500) (KDV Hariç)
65.322,00 TL
26,129 TL Each (On a Reel of 2500) KDV Dahil
2500
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,5 A, 7,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
40 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
1,5 W
Transistör Yapılandırması
Tam Köprü
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
4
Genişlik
3.95mm
Uzunluk
4.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 11,4 nC, 10 V'de 11,7 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products