Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
PowerDI3333-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
99 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
2,31 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
3.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25,2 nC
Yükseklik
0.8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
0.77V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
11,825 TL
Each (On a Reel of 2000) KDV Hariç
14,19 TL
Each (On a Reel of 2000) KDV Dahil
2000
11,825 TL
Each (On a Reel of 2000) KDV Hariç
14,19 TL
Each (On a Reel of 2000) KDV Dahil
2000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
PowerDI3333-8
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
99 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
2,31 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.35mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
3.35mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 25,2 nC
Yükseklik
0.8mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
0.77V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları