Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.6 A, 4.7 A, 60 V, 8-Pin SOIC ZXMC4559DN8TA
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,6 A, 4,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ, 125 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.95mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
4.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20,4 nC, 10 V'de 24,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
599,50 TL
29,975 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
719,40 TL
35,97 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
599,50 TL
29,975 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
719,40 TL
35,97 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 20 - 240 | 29,975 TL | 599,50 TL |
| 260+ | 24,035 TL | 480,70 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,6 A, 4,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
75 mΩ, 125 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.95mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
4.95mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 20,4 nC, 10 V'de 24,2 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products