Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,1 A, 4,98 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
1,35 W
Transistör Yapılandırması
Tam Köprü
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 9 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
4
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Complementary Enhancement Mode MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
234,84 TL
46,968 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
281,81 TL
56,362 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

234,84 TL
46,968 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
281,81 TL
56,362 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,1 A, 4,98 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
60 mΩ, 80 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
1,35 W
Transistör Yapılandırması
Tam Köprü
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 9 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
4
Uzunluk
5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları