Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
70 V
Series
IntelliFET
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
125 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Genişlik
3.55mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.55mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Yükseklik
1.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
1.037,04 TL
69,136 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.244,45 TL
82,963 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
15

1.037,04 TL
69,136 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.244,45 TL
82,963 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
15

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
15 - 45 | 69,136 TL | 345,68 TL |
50 - 245 | 66,932 TL | 334,66 TL |
250 - 495 | 65,308 TL | 326,54 TL |
500+ | 63,684 TL | 318,42 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
DiodesZetexİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
70 V
Series
IntelliFET
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
125 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.5V
Maksimum Güç Kaybı
3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Genişlik
3.55mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.55mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Yükseklik
1.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
IntelliFET Self-protected MOSFETs, Diodes Inc
IntelliFET are self-protected MOSFETs that integrate a complete array of protection circuits that guard against ESD (Electrostatic Sensitive Device), over-current, over-voltage, and over-temperature conditions.