ON Semiconductor ISL9V3040P3 IGBT, 450 V, 21 A, 3-Pinli TO-220AB
Teknik Belgeler
Özellikler
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
5.930,50 TL
118,61 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
7.116,60 TL
142,332 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
5.930,50 TL
118,61 TL Each (In a Tube of 50) (KDV Hariç)
7.116,60 TL
142,332 TL Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 118,61 TL | 5.930,50 TL |
| 100 - 450 | 97,266 TL | 4.863,30 TL |
| 500 - 950 | 81,954 TL | 4.097,70 TL |
| 1000 - 2450 | 74,588 TL | 3.729,40 TL |
| 2500+ | 72,732 TL | 3.636,60 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.67 x 4.7 x 16.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products