Teknik Belgeler
Özellikler
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
95,202 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
114,242 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
95,202 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
114,242 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 5 | 95,202 TL | 476,01 TL |
10 - 95 | 81,442 TL | 407,21 TL |
100 - 245 | 63,21 TL | 316,05 TL |
250 - 495 | 60,888 TL | 304,44 TL |
500+ | 55,986 TL | 279,93 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Maksimum Sürekli Kollektör Akımı
21 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
450 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±14V
Maksimum Güç Kaybı
150 W
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
10.67 x 9.65 x 4.83mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Ürün Ayrıntıları
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.