Fuji Electric 2MBI200U4B-120-50 IGBT Modülü M233, Seri, maks. 200 A, 1200 V, Panele Monte
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
200 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,04 kW
Paket Tipi
M233
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
92 x 45 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
200 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
1,04 kW
Paket Tipi
M233
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Panel Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
7
Transistör Yapılandırması
Seri
Boyutlar
92 x 45 x 30mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
Japan
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products