Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Güç Kaybı
357 W
Paket Tipi
P 610
Yapılandırma
3 Fazlı
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
22
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
109 x 88 x 22mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-20°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+100°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Fuji ElectricMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Güç Kaybı
357 W
Paket Tipi
P 610
Yapılandırma
3 Fazlı
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
22
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
109 x 88 x 22mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-20°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+100°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.