Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
FujiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
1 kA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
6,25 kW
Paket Tipi
M272
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
6
Boyutlar
250 x 89 x 38mm
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
1
Teklif İsteyiniz
1
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
FujiMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
1 kA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1700 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
6,25 kW
Paket Tipi
M272
Yapılandırma
Seri
Montaj Tipi
Vida Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
6
Boyutlar
250 x 89 x 38mm
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.