Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
195 A, 409 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.9V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
375 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.43mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 300 nC
Yükseklik
9.02mm
Seri
COOLiRFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
190,404 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Hariç
228,485 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
190,404 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Hariç
228,485 TL
Each (In a Tube of 50) KDV Dahil
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
195 A, 409 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
40 V
Paket Tipi
TO-220AB
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.9V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.2V
Maksimum Güç Kaybı
375 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.43mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 300 nC
Yükseklik
9.02mm
Seri
COOLiRFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
COOLiRFET™ Power MOSFET, Infineon
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.