Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
38 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
69 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
341 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
21.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 83 nC
Genişlik
5.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
16.13mm
Seri
HEXFET
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
160,39 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Hariç
192,468 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
160,39 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Hariç
192,468 TL
Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
38 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
69 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Güç Kaybı
341 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
21.1mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 83 nC
Genişlik
5.2mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
16.13mm
Seri
HEXFET
Menşe
Mexico
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.