Infineon BSP170PH6327XTSA1 P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 1,9 A, 60 V, 3-Pinli SOT-223
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.6mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
28,811 TL
Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
34,573 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
28,811 TL
Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
34,573 TL
Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
50 - 50 | 28,811 TL | 1.440,55 TL |
100 - 200 | 21,338 TL | 1.066,90 TL |
250 - 450 | 19,881 TL | 994,05 TL |
500 - 1200 | 18,424 TL | 921,20 TL |
1250+ | 17,296 TL | 864,80 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Seri
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.6mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.