Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13 nC
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
305,08 TL
30,508 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
366,10 TL
36,61 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

305,08 TL
30,508 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
366,10 TL
36,61 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 30,508 TL | 305,08 TL |
| 100 - 240 | 28,942 TL | 289,42 TL |
| 250 - 490 | 28,362 TL | 283,62 TL |
| 500 - 990 | 26,564 TL | 265,64 TL |
| 1000+ | 24,708 TL | 247,08 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,8 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 13 nC
Genişlik
3.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


