Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
OptiMOS P
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
280 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.6V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
1.3mm
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 3,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
11.289,00 TL
3,763 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
13.546,80 TL
4,516 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
11.289,00 TL
3,763 TL Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
13.546,80 TL
4,516 TL Each (On a Reel of 3000) KDV Dahil
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
OptiMOS P
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
280 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.6V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Maksimum Güç Kaybı
500 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
1.3mm
Uzunluk
2.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 3,6 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.