Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
310 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-323
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.1 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.6V
Maksimum Güç Kaybı
250 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,5 nC
Genişlik
1.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
OptiMOS P
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.8mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
310 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-323
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.1 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.6V
Maksimum Güç Kaybı
250 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 0,5 nC
Genişlik
1.25mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
OptiMOS P
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
0.8mm
Ürün Ayrıntıları
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs
The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.