Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonBellek Boyutu
4Mbit
Düzen
512K x 8 bit
Kelime Sayısı
512K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Zamanlama Tipi
Asenkron
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Pim Sayısı
32
Boyutlar
20.75 x 11.43 x 2.81mm
Yükseklik
2.81mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Genişlik
11.43mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
20.75mm
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.
SRAM (Static Random Access Memory)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonBellek Boyutu
4Mbit
Düzen
512K x 8 bit
Kelime Sayısı
512K
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
45ns
Adres Veriyolu Genişliği
8bit
Saat Frekansı
1MHz
Düşük Güç
Yes
Zamanlama Tipi
Asenkron
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Pim Sayısı
32
Boyutlar
20.75 x 11.43 x 2.81mm
Yükseklik
2.81mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Genişlik
11.43mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Uzunluk
20.75mm
Ürün Ayrıntıları
Asynchronous Micropower (MoBL) SRAM Memory, Cypress Semiconductor
The MoBL low-power SRAM memory devices have high efficiency and offer industry leading standby power dissipation (maximum) specifications.