Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonBellek Boyutu
4kbit
Düzen
512 x 8 bit
Arabirim Tipi
SPI
Veri Yolu Genişliği
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
20ns
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Pim Sayısı
8
Boyutlar
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Uzunluk
4.97mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Genişlik
3.98mm
Yükseklik
1.48mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q100
Kelime Sayısı
512
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Ürün Ayrıntıları
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
55,212 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
66,254 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
55,212 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
66,254 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonBellek Boyutu
4kbit
Düzen
512 x 8 bit
Arabirim Tipi
SPI
Veri Yolu Genişliği
8bit
Maksimum Rastgele Erişim Süresi
20ns
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Paket Tipi
SOIC
Pim Sayısı
8
Boyutlar
4.97 x 3.98 x 1.48mm
Uzunluk
4.97mm
Maksimum Çalışma Besleme Gerilimi
5,5 V
Genişlik
3.98mm
Yükseklik
1.48mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+85°C
Otomotiv Standardı
AEC-Q100
Kelime Sayısı
512
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Minimum Çalışma Besleme Gerilimi
4,5 V
Kelime başına Bit Sayısı
8bit
Ürün Ayrıntıları
F-RAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.