Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
55 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
210 W
Paket Tipi
Econo2
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
28
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
107.5 x 45 x 17mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teklif İsteyiniz
10
Teklif İsteyiniz
10
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
55 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
210 W
Paket Tipi
Econo2
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
28
Anahtarlama Hızı
1MHz
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
107.5 x 45 x 17mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, Infineon
The Infineon range of IGBT Modules offer low switching loss for switching up to 60 Khz frequencies.
The IGBTs span over a range of power modules like the ECONOPACK packages with collector emitter voltage at 1200V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper modules with NTC up to 1600/1700V. The PrimePACK IGBTs can be found in Industrial, commercial, construction and agricultural vehicles. The N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop IGBT Modules are suitable for hard switching and soft switching applications such as Inverters, UPS and Industrial drives.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.