Infineon IGW30N60TPXKSA1 IGBT, 600 V, 53 A, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
53 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1050pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
1.13mJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
18.931,20 TL
78,88 TL Each (In a Tube of 240) (KDV Hariç)
22.717,44 TL
94,656 TL Each (In a Tube of 240) KDV Dahil
240
18.931,20 TL
78,88 TL Each (In a Tube of 240) (KDV Hariç)
22.717,44 TL
94,656 TL Each (In a Tube of 240) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
240
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
|---|---|---|
| 240 - 240 | 78,88 TL | 18.931,20 TL |
| 480 - 480 | 74,936 TL | 17.984,64 TL |
| 720+ | 70,18 TL | 16.843,20 TL |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
53 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
200 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1050pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
1.13mJ
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products