Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
250 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
2500pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.46mJ
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
105,135 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Hariç
126,162 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Dahil
4
105,135 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Hariç
126,162 TL
Each (In a Pack of 4) KDV Dahil
4
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
4 - 16 | 105,135 TL | 420,54 TL |
20 - 36 | 94,60 TL | 378,40 TL |
40 - 96 | 88,365 TL | 353,46 TL |
100 - 196 | 82,044 TL | 328,18 TL |
200+ | 76,755 TL | 307,02 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
40 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
250 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
2500pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
0.46mJ
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.