Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
187 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1630pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
1.72mJ
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
92,45 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
110,94 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
92,45 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
110,94 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Tüp |
---|---|---|
30 - 30 | 92,45 TL | 2.773,50 TL |
60+ | 86,903 TL | 2.607,09 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
60 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
187 W
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Kapı Kapasitansı
1630pF
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
1.72mJ
Menşe
Malaysia
Ürün Ayrıntıları
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.