Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263

RS Stok Numarası: 898-7003PMarka: InfineonÜretici Parça Numarası: IPB019N08N3 G
brand-logo

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

80 V

Paket Tipi

TO-263

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

7

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

3.3 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Uzunluk

10.31mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 155 nC

Genişlik

9.45mm

Transistör Malzemesi

Si

Series

OptiMOS 3

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

4.57mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teklif İsteyiniz

Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)

Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263
Paketlenme türü seçiniz

Teklif İsteyiniz

Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)

Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

80 V

Paket Tipi

TO-263

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

7

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

3.3 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Uzunluk

10.31mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 155 nC

Genişlik

9.45mm

Transistör Malzemesi

Si

Series

OptiMOS 3

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

İleri Diyot Gerilimi

1.2V

Yükseklik

4.57mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more