Infineon IPB025N10N3GATMA1 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 100 V, 7-Pinli D2PAK (TO-263)

RS Stok Numarası: 754-5421Marka: InfineonÜretici Parça Numarası: IPB025N10N3GATMA1
brand-logo
Tümünü MOSFET'ler içinde gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Infineon

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

100 V

Paket Tipi

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS 3

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

7

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

4.4 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

9.45mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.31mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 155 nC

Yükseklik

4.57mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263Marka: Infineon
Teklif İsteyinizEach (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)

204,22 TL

204,22 TL Each (KDV Hariç)

245,06 TL

245,06 TL Each KDV Dahil

Infineon IPB025N10N3GATMA1 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 100 V, 7-Pinli D2PAK (TO-263)
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1204,22 TL
2408,44 TL
3612,65 TL
4816,87 TL
51.021,09 TL
61.225,31 TL
71.429,53 TL
81.633,74 TL
91.837,96 TL
102.042,18 TL
112.246,40 TL
122.450,62 TL
132.654,83 TL
142.859,05 TL
153.063,27 TL
sticker-359

204,22 TL

204,22 TL Each (KDV Hariç)

245,06 TL

245,06 TL Each KDV Dahil

Infineon IPB025N10N3GATMA1 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 100 V, 7-Pinli D2PAK (TO-263)

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
1204,22 TL
2408,44 TL
3612,65 TL
4816,87 TL
51.021,09 TL
61.225,31 TL
71.429,53 TL
81.633,74 TL
91.837,96 TL
102.042,18 TL
112.246,40 TL
122.450,62 TL
132.654,83 TL
142.859,05 TL
153.063,27 TL
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263Marka: Infineon
Teklif İsteyinizEach (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

Infineon

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

180 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

100 V

Paket Tipi

D2PAK (TO-263)

Series

OptiMOS 3

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

7

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

4.4 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

3.5V

Minimum Kapı Eşiği Gerilimi

2V

Maksimum Güç Kaybı

300 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Genişlik

9.45mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

10.31mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 155 nC

Yükseklik

4.57mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
İlginizi çekebilir
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263
Infineon IPB019N08N3 G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 180 A, 80 V, 7-Pinli TO-263Marka: Infineon
Teklif İsteyinizEach (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)