Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
36 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220AB
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
27 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
92 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.54mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 42 nC
Genişlik
4.69mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
8.77mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
103,82 TL
51,91 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
124,58 TL
62,292 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Standart
2

103,82 TL
51,91 TL Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
124,58 TL
62,292 TL Each (In a Pack of 2) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
2 - 18 | 51,91 TL | 103,82 TL |
20 - 98 | 47,56 TL | 95,12 TL |
100 - 198 | 43,50 TL | 87,00 TL |
200 - 498 | 40,60 TL | 81,20 TL |
500+ | 37,99 TL | 75,98 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
36 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-220AB
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
27 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
92 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.54mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 42 nC
Genişlik
4.69mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
8.77mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.