Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TSOP-6
Seri
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.2 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 3,9 nC
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
141,96 TL
14,196 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
170,35 TL
17,035 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

141,96 TL
14,196 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
170,35 TL
17,035 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
600 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
200 V
Paket Tipi
TSOP-6
Seri
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.2 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
1.5mm
Transistör Malzemesi
Si
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 3,9 nC
Yükseklik
0.9mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 150V to 600V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.