Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
4mm
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 9,4 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
47.960,00 TL
11,99 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
57.552,00 TL
14,388 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
47.960,00 TL
11,99 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
57.552,00 TL
14,388 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
4000 - 4000 | 11,99 TL | 47.960,00 TL |
8000+ | 11,385 TL | 45.540,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Genişlik
4mm
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 9,4 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.