Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 9,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
8.885,60 TL
44,428 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
10.662,72 TL
53,314 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
200
8.885,60 TL
44,428 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
10.662,72 TL
53,314 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
200
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
200 - 480 | 44,428 TL | 888,56 TL |
500 - 980 | 42,572 TL | 851,44 TL |
1000 - 1980 | 39,73 TL | 794,60 TL |
2000+ | 37,41 TL | 748,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,3 A, 3,5 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ, 400 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC, 10 V'de 9,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.