Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 75 nC
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.5mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
42,269 TL
Each (In a Tube of 95) KDV Hariç
50,723 TL
Each (In a Tube of 95) KDV Dahil
95
42,269 TL
Each (In a Tube of 95) KDV Hariç
50,723 TL
Each (In a Tube of 95) KDV Dahil
95
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 75 nC
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.5mm
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.