Infineon IRF7507TRPBF İkili N/P-Kanallı Si MOSFET Transistör, 1,7 A, 2,4 A, 20 V, 8-Pinli MSOP

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,7 A, 2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
MSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ, 270 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
1,25 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,3 nC, 4,5 V'de 5,4 nC
Yükseklik
0.86mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
29,15 TL
29,15 TL Each (KDV Hariç)
34,98 TL
34,98 TL Each KDV Dahil
Standart
1

29,15 TL
29,15 TL Each (KDV Hariç)
34,98 TL
34,98 TL Each KDV Dahil
Standart
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N, P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,7 A, 2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
MSOP
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ, 270 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
1,25 W
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,3 nC, 4,5 V'de 5,4 nC
Yükseklik
0.86mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon
Infineons dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.