Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 14 nC, 10 V'de 25 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
30,874 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Hariç
37,049 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
20
30,874 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Hariç
37,049 TL
Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
20
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
20 - 20 | 30,874 TL | 617,48 TL |
40 - 180 | 23,693 TL | 473,86 TL |
200 - 980 | 18,576 TL | 371,52 TL |
1000 - 1980 | 15,437 TL | 308,74 TL |
2000+ | 15,05 TL | 301,00 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
9,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 14 nC, 10 V'de 25 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.