Infineon IRF9362TRPBF İkili P-Kanallı MOSFET Transistör, 8 A, 30 V, 8-Pinli SOIC
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 26 nC
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
P.O.A.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
25
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 26 nC
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products