Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 26 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4mm
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
339,30 TL
13,572 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
407,16 TL
16,286 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25
339,30 TL
13,572 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
407,16 TL
16,286 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Standart
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
32 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 26 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Genişlik
4mm
Yükseklik
1.5mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.